반도체의 흑연 절연

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반도체의 흑연 절연체
Jincheng Graphite는 흑연 제품 전문 제조업체로서 높은 절연성과 안정성을 갖춘 반도체 흑연 절연재를 제공합니다. 이 소재는 칩 패키징, 고주파-주파수 회로 등을 위해 특별히 설계되었으며 고온 저항, 낮은 유전 손실 및 내식성과 같은 장점을 가지고 있습니다. 이는 고급-반도체 제조 분야에서 널리 사용됩니다.
핵심 이점
뛰어난 절연 성능: 고순도-흑연 기재를 활용하여 진공 함침 공정을 통해 절연 내력을 10^6V/m까지 향상시켜 고주파수 신호 전송 중 누출이 전혀 발생하지 않도록 보장하고-칩 단락 위험을 줄입니다.
극한 환경 적응성: 고온 소결 기술을 통해 흑연 절연 재료는 -200도 ~ 1200도의 온도 범위 내에서 안정적인 절연 성능을 유지할 수 있으며 반도체 패키징의 고온 리플로우 솔더링 및 증착 공정에 적합합니다.
제품 분류
웨이퍼 흑연 캐리어
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설명

반도체의 흑연 절연체

Jincheng Graphite는 흑연 제품 전문 제조업체로서 높은 절연성과 안정성을 갖춘 반도체 흑연 절연재를 제공합니다. 이 소재는 칩 패키징, 고주파-주파수 회로 등을 위해 특별히 설계되었으며 고온 저항, 낮은 유전 손실 및 내식성과 같은 장점을 가지고 있습니다. 이는 고급-반도체 제조 분야에서 널리 사용됩니다.

 

핵심 이점

 

뛰어난 단열 성능

고순도-흑연 기재를 활용하고 진공 함침 공정을 통해 절연 내력을 10^6V/m까지 향상시켜 고주파수 신호 전송 중 누출이 전혀 발생하지 않도록 보장하고{3}}칩 단락 위험을 줄입니다.

극한 환경 적응성

고온 소결 기술을 통해 흑연 절연재는 -200도 ~ 1200도 온도 범위 내에서 안정적인 절연 성능을 유지할 수 있어 반도체 패키징의 고온 리플로우 솔더링 및 증착 공정에 적합합니다.

맞춤형 처리 능력

레이저 절단 및 플라즈마 에칭과 같은 정밀 가공을 지원하여 0.1mm~1mm 범위의 절연층 두께와 칩 패키징의 복잡한 형상에 대한 맞춤형 요구 사항을 충족하며 5nm 이하의 고급 제조 공정에 적합합니다.

 

응용 시나리오

 

반도체의 흑연 절연체는 집적 회로 패키징(예: 칩과 기판 사이의 절연체), 고주파수 무선 주파수 회로(신호 간섭 방지용), 전력 모듈(고전압 구성요소 절연용)에 널리 사용됩니다.- 낮은 유전 손실 특성은 신호 감쇠를 줄이고 고주파-주파수 회로의 안정성을 향상시킬 수 있습니다. 동시에 높은-온도 저항은 고온 처리 중에 절연이 실패하지 않도록 보장하여-칩 수율을 보장합니다.

 

기술 사양

 

유전 강도 10^6 V/m 이상(실온에서)
유전손실 탄젠트(tanδ) 0.001 이하(1MHz에서)
고온 저항 1200도(1000시간)
표면저항 10^14Ω·cm 이상
내식성 HF, HNO₃ 및 플라즈마 환경에서 테스트 통과

 

진청 흑연 품질 보증

Jincheng Graphite는 18년 동안 흑연 제품 분야에 깊이 관여해 왔습니다. ISO9001 품질 관리 시스템과 결합된 자체 지적 재산인 나노{2}}수준의 표면 개질 기술을 보유하고 있으며 원료 정제(순도 99.99% 이상), 성형 및 프레싱에서 고온 소결까지 전체 공정을 엄격하게 관리합니다.{5}} 이 제품은 반도체 산업 인증을 통과했으며 ISO 21500 및 IEC 60068 표준의 요구 사항을 충족하여 안정적이고 신뢰할 수 있는 절연 성능을 보장합니다.

협력 약속

Jincheng Graphite는 무료 샘플 테스트, 72시간 기술 응답 및 맞춤형 솔루션 지원을 제공합니다. 고객의 공정 요구 사항에 따라 절연층 두께, 표면 처리 공정 및 패키징 호환성을 조정할 수 있어 반도체 제조 기업이 효율적이고 안정적인 절연 보호를 달성할 수 있습니다. 전문적인 기술력과 신속한 납기, 지속적인 혁신으로 반도체 산업 절연재 분야의 핵심 파트너로 자리 잡았습니다.

 

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